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A1012Y	文件：314.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
AC1012	文件：178.11 Kbytes Page：2 Pages	0.3TO1000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIERS	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
ADMV1012	文件：441.37 Kbytes Page：19 Pages	17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADMV1012AEZ	文件：441.37 Kbytes Page：19 Pages	17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADMV1012-EVALZ	文件：441.37 Kbytes Page：19 Pages	17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AFBR-1012	文件：109.06 Kbytes Page：9 Pages	FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AFBR-1012L	文件：109.06 Kbytes Page：9 Pages	FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AFBR-1012M	文件：109.06 Kbytes Page：9 Pages	FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AFBR-1012S	文件：109.06 Kbytes Page：9 Pages	FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AM1012	文件：600.81 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETN-CHANNEL1.8-V(G-S)MOSFET FEATURES TrenchFETPowerMOSFET:1.8-VRated Gate-SourceESDProtected:2000V High-SideSwitching LowOn-Resistance:0.7Ω LowThreshold:0.8V(typ) FastSwitchingSpeed:10ns AvailableinSC-89Package DESCRIPTIONFEATURES TheAM1012isavailableinSC-89Package APPLICATION Drive	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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详细参数

型号：
ZS1012D-T
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 250W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZS1012D-T供应商更新时间2025-7-13 11:10:00

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