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HSB-835A	文件：754.23 Kbytes Page：2 Pages	IntelPentium43.2GHzAPCIHalf-sizeSBC	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
HSB-835P	文件：417.52 Kbytes Page：2 Pages	Intel짰Pentium짰4/Celeron짰Processor,upto3.0GHz	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
HSM835	文件：99.52 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •175°CJunctionTemperature •HighCurrentCapability •VRRM25to45Volts •Surfacemountpackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HV835	文件：242.95 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseDualELLampDriver GeneralDescription TheSupertexHV835isahighvoltagedriverdesignedfordrivingtwoELlampswithacombinedareaof3.5squareinches.Theinputsupplyvoltagerangeisfrom2.0Vto5.8V.Thedeviceisdesignedtoreducetheamountofaudiblenoiseemittedbythelamp.Thisdeviceusesasi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
KB835	文件：184.15 Kbytes Page：8 Pages	PHOTOCOUPLER	KingbrightKingbright Company LLC 今台	Kingbright
LMC835	文件：474.13 Kbytes Page：18 Pages	LMC835DigitalControlledGraphicEqualizer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC835N	文件：474.13 Kbytes Page：18 Pages	LMC835DigitalControlledGraphicEqualizer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC835V	文件：474.13 Kbytes Page：18 Pages	LMC835DigitalControlledGraphicEqualizer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LSM835	文件：99.22 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●150°CJunctionTemperature ●VRRM35to45Volts ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
M835	文件：451.1 Kbytes Page：5 Pages	M840CONNECTORHARNESSVEHICLESANDOFF-HIGHWAYMACHINERY	DSEDeep Sea Electronics 深海DSE英国深海公司	DSE
MAX835	文件：280.75 Kbytes Page：9 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX835	文件：77.71 Kbytes Page：8 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5 GeneralDescription TheMAX834/MAX835micropowervoltagemonitorscontaina1.204Vprecisionbandgapreference,comparator,andlatchedoutputina5-pinSOT23package.Usingthelatchedoutputpreventsdeepdischargeofbatteries.TheMAX834hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whilethe	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX835EUK-T	文件：77.71 Kbytes Page：8 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5 GeneralDescription TheMAX834/MAX835micropowervoltagemonitorscontaina1.204Vprecisionbandgapreference,comparator,andlatchedoutputina5-pinSOT23package.Usingthelatchedoutputpreventsdeepdischargeofbatteries.TheMAX834hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whilethe	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX835EUK-T	文件：280.75 Kbytes Page：9 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MBR835	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR835	文件：80.6 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free whelling,andpolarityprotectionapp	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR835	文件：138.45 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR835	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MBR835	文件：112.18 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR835	文件：428.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
ZC835
制造商：
ZETEX
制造商全称：
ZETEX
功能描述：
SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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