MBR835分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MBR835 |
参数属性 | MBR835 封装/外壳为DO-201AA,DO-27,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD |
功能描述 | Axial Lead Rectifiers |
封装外壳 | DO-201AA,DO-27,轴向 |
文件大小 |
138.45 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 19:25:00 |
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MBR835规格书详情
MBR835属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的MBR835二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
Axial Lead Rectifiers
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
• High Current Capability
• Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
• Low Power Loss/High Efficiency
• Highly Stable Oxide Passivated Junction
• Guard−Ring for Stress Protection
• Low Forward Voltage
• High Surge Capacity
产品属性
更多- 产品编号:
MBR835RL
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商器件封装:
轴向
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 125°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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TO252 |
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