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RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A) Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RRS100N03-TB	文件：1.00656 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSH100N03	文件：173.81 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS100N03	文件：59.93 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,짹10A) Switching(30V,±10A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Applications Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS100N03FRA	文件：2.50526 Mbytes Page：15 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS100N03HZG	文件：2.51849 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS100N03TB	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RXH100N03	文件：1.13347 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
STD100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SW100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWB100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWI100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWI100N03	文件：996.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWP100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TF100N03	文件：2.09987 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features 30V,100A RDSON(typ)=2.9mΩ@VGS=10V RDSON(typ)=4.3mΩ@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ProvideExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired Application LoadSwitch PWMApplication Powermanagement 100UISTESTED! 100ΔVdsTEST	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF100N03M	文件：4.67814 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF100N03MusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
UT100N03	文件：275.27 Kbytes Page：5 Pages	100A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUT100N03usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V RDS(ON)=8.0mΩ@VGS=4.5V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03G-TND-R	文件：364.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03L	文件：961.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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深圳市弘扬芯城科技有限公司	YFW10N65AF	YFW(佑风微)	23+	TO220F	6000		询价
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更多YFW100N03AMJ供应商更新时间2024-5-24 18:30:00

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