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RSS100N03FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 30V 10A 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RSS100N03FRA	文件：2.50526 Mbytes Page：15 Pages	Nch 30V 10A Power MOSFET 文件：2.50526 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS100N03HZG	文件：2.51849 Mbytes Page：14 Pages	Nch 30V 10A Power MOSFET 文件：2.51849 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS100N03TB	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08612 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RXH100N03	文件：1.13347 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching 文件：1.13347 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0125
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0135
Total gate charge Qg[nC]：
14.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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