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3406FB	文件：261.16 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VThreePhaseBridge18.0A-20.0AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers Inc.	VMI
3406UFA	文件：194.75 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VThreePhaseBridge 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers Inc.	VMI
3406UFB	文件：252.56 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VThreePhaseBridge 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
3406UFB	文件：261.16 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VThreePhaseBridge18.0A-20.0AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers Inc.	VMI
AM3406	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION AM3406istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM3406A	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION TheAM3406AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=30V RDS(ON),VGS=4.5V,IDS@5A=52mΩ RDS(ON),VGS=10V,IDS@6A=38mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Highdensitycelldesignforultralowon-resistance Advancedtrenchprocesstechnology High	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM3406N	文件：143.49 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS3406	文件：449.75 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) DESCRIPTION AMS3406istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappl	AMS Advanced Monolithic Systems	AMS
AO3406	文件：110.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductord	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3406	文件：534.97 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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