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AM3406	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：893.74 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406A	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SVR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406E3R	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：893.74 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406E3VR	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：893.74 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406N	文件：143.49 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel 30V (D-S) MOSFET 文件：143.49 Kbytes 页数：2 Pages	AnalogPower	AnalogPower
AM3406A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM3406N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	AnalogPower 美商亚柏	AnalogPower

技术参数

漏击穿电压(V)：
30
栅级电压 (V)：
±20
连续漏电流(A)(25°C)：
6
阈值电压(V) 最小值/最大值：
1.0/3.0
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
22
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
35
应用：
PWM/Handheld

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AM3406	AIT-IC	23+		699999	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	AM3406E3VR	AIT	2015+	SOT23-3	29898	专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品	询价
深圳诚思涵科技有限公司	AM3406N-T1-PF	AnalogPow	19+	TSOP-6	200000	原装样品可出	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	AM3406N-T1-PF	AnalogPower	20+	TSOP-6	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	AM3406E3VR	AIT-IC	24+	SOT23-3	333652	MOS管大量供应有优势	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	AM3406N	ANALOGPOWER	23+	TSOP-6	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	AM3406E3R	AIT-IC	24+	SOT-23	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	AM3406N-T1-PF贴片三极管	ANALOGPOWER	23+	SOT23-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	AM3406N-T1-PF	ANALOGPOWER	2019+PB	TSOP-6	41120	原装-特价	询价
深圳市威雅利发展有限公司	AM3406RA	AXELITE	10+	SOT23	1500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多AM3406供应商更新时间2025-12-2 16:04:00

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