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AM3406A	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SVR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION The AM3406A is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = 30V RDS(ON), VGS=4.5V, IDS@5A = 52mΩ RDS(ON), VGS=10V, IDS@6A = 38mΩ  Available in SOT-23S Package APPLICATION  High density cell design for ultra low on-resistance  Advanced trench process technology  High 文件：470.85 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3406A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

漏击穿电压(V)：
30
栅级电压 (V)：
±20
连续漏电流(A)(25°C)：
6
阈值电压(V) 最小值/最大值：
1.0/3.0
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
22
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
35
应用：
PWM/Handheld

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AM3406AE3SVR	AIT	23+	NA	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	AM3406AE3SR	AIT-IC	24+	SOT-23	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	AM3406AE3SVR	AiT	21+	-	3000	只做原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	AM3406-ADJ	AM降压IC	24+	SOT23-5	30100	只做正品原装现货	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	AM3406E3R	AIT	2015+	SOT23-3	29898	专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	AM3406E3R	AIT-IC	20+	SOT-23	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	AM3406E3R	AIT-IC	24+	SOT23-3	333652	MOS管大量供应有优势	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	AM3406E3R	AIT-	24+	NA/	13024	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多AM3406A供应商更新时间2025-12-8 14:40:00

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