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3406UFB	文件：252.56 Kbytes Page：2 Pages	200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
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3406	文件：1.01023 Mbytes Page：2 Pages	DREHZAHLMESSER	ASM-SENSOR ASM GmbH	ASM-SENSOR
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3406D	文件：2.73441 Mbytes Page：26 Pages	PicoScope®3000SeriesPCoscilloscopesandMSOs Features Upto200MHzanalogbandwidth Deepbuffermemoryupto512MS MSOmodelswith16digitalchannels 2or4analogchannels 1GS/sreal-timesampling Fastwaveformupdates Built-inarbitrarywaveformgenerator USB3.0connectedandpowered	PICO Pico Technology Ltd.	PICO
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3406FA	文件：194.75 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VThreePhaseBridge 200V-1,000VThreePhaseBridge 18.0A-20.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers	VMI
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AM3406	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION AM3406istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406A	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION TheAM3406AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=30V RDS(ON),VGS=4.5V,IDS@5A=52mΩ RDS(ON),VGS=10V,IDS@6A=38mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Highdensitycelldesignforultralowon-resistance Advancedtrenchprocesstechnology High	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406N	文件：143.49 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS3406	文件：449.75 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) DESCRIPTION AMS3406istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappl	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AO3406	文件：534.97 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3406	文件：597.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductorder	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3406	文件：1.79627 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=3.6A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3406	文件：110.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductord	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
3406UFB
制造商：
VMI
制造商全称：
VMI
功能描述：
200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 18.0 A - 20.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	3407		23+	N/A	46180	正品授权货源可靠	询价
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