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XR30N03D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-Ch MOSFET;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
30N03	文件：1.01839 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N03A	文件：931.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPower Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
30N03A	文件：886.26 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPower GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowon	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
YFW30N03DF	文件：1.23004 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YJQ30N03A	文件：512.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

技术参数

Package Type：
PDFN3*3
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS(V)：
30
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
1.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
8
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
11
ID (A)：
30

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