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XR30P02D	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V P-Ch MOSFET;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
HM30P02K	文件：1.11922 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
SF30P02C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
TF30P02	文件：2.20014 Mbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF30P02combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON). ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss LowGateChargeforfastswitchingLowThermalresist	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
UF30P02	文件：674.62 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
UF30P02C	文件：673.56 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
YJQD30P02A	文件：560.33 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

技术参数

Package Type：
PDFN3*3
Configuration：
Single
MOSFET Type：
P
VDS(V)：
-20
VGS(V)：
±12
Vth typ.(V)：
1
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
10
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V：
13
ID (A)：
-30

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