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XC7SH08	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	2-input AND gate 1. General description XC7SH08 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input AND function. 2. Features • Symmetrical output impedance • High noise immunity • Low power dissipation • CMOS input levels • Balanced propagation delays • ESD protection: • HBM JESD22-A114E: exceeds 文件：202.95 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08	文件：74.73 Kbytes Page：11 Pages	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input AND function 文件：74.73 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
XC7SH08	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input AND function	恩XP 恩智浦	恩XP
XC7SH08GV	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：f08；Package：SOT753；2-input AND gate 1. General description XC7SH08 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input AND function. 2. Features • Symmetrical output impedance • High noise immunity • Low power dissipation • CMOS input levels • Balanced propagation delays • ESD protection: • HBM JESD22-A114E: exceeds 文件：202.95 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08GW	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：fE；Package：SOT353-1；2-input AND gate 1. General description XC7SH08 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input AND function. 2. Features • Symmetrical output impedance • High noise immunity • Low power dissipation • CMOS input levels • Balanced propagation delays • ESD protection: • HBM JESD22-A114E: exceeds 文件：202.95 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08GV	文件：74.73 Kbytes Page：11 Pages	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input AND function 文件：74.73 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
XC7SH08GW	文件：74.73 Kbytes Page：11 Pages	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input AND function 文件：74.73 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
XC7SH08GW	文件：300 bytes Page：1 Pages	2-input AND gate XC7SH08 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input AND function. • Symmetrical output impedance\n• High noise immunity\n• Low power dissipation\n• Balanced propagation delays\n• SOT353-1 and SOT753 package options\n• ESD protection:• HBM JESD22-A114E: exceeds 2000 V\n• MM JESD22-A115-A: exceeds 200 V\n• CDM JESD22-C101C: exceeds 1000 V\n\n• Specified from -40 °C ;	Nexperia 安世	Nexperia
XC7SH08GV,125	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74A，SOT-753；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE AND 1CH 2-INP SC74A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08GW,125	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

VCC (V)：
2.0 - 5.5
Logic switching levels：
CMOS
Output drive capability (mA)：
± 8
tpd (ns)：
3.2
fmax (MHz)：
60
Nr of bits：
1
Power dissipation considerations：
low
Tamb (°C)：
-40~125
Rth(j-a) (K/W)：
312
Ψth(j-top) (K/W)：
82.5
Rth(j-c) (K/W)：
183
Package name：
TSSOP5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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