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1N60	文件：434.49 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION 1N601N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowersu	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N60	文件：1.08649 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
1N60	文件：282.69 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60	文件：623.4 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell1N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof1.2A,fastswitc	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
1N60	文件：141.56 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes VOLTAGERANGE:40V CURRENT:0.03A DO-35(GLASS) FEATURES Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforward	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60	文件：56.61 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60	文件：110.55 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequireme	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
1N60	文件：274.64 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ◇Metalsiliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇F	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N60	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60	文件：123.63 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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技术参数

ID [A]：
1.2
RDS(ON) [Ω]：
8.5
VGS(th) [V]：
2-4
Package：
TO-251

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	WFU1N60C	WINSEMI	22+	TO-251	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	WFU1N60C	WINSEMI	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	WFU1N60C	WINSEMI	22+	TO-251	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	WFU1N60C	WINSEMI	25+	TO-251	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳庞田科技有限公司	WFU1N60N	原厂原装	2023+环保现货	IPAK	250000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	WFU1N60-S	WISDOM	23+	TO-220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	WFU1N70	WISDOM	24+	TO-251	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
上海市鑫鸿达电子	WFU1N80	WISDOM	2022+		57	全新原装货期两周	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	WFU1N80	Wisdom/威士顿	23+24	TO-251	17720	专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC	询价
深圳市一线半导体有限公司	WFU2N60	WISDOM	24+	TO251	20000		询价

更多WFU1N60C供应商更新时间2025-7-29 10:06:00

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