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TW027Z65C	文件：642.33 Kbytes Page：12 Pages	Marking：W027Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=27mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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Marking：W027Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=27mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多W027Z65C供应商更新时间2025-5-20 15:01:00

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