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W1-	文件：47.93 Kbytes Page：8 Pages	型号：BFT92；Package：SOT-23；PNP 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION PNPtransistorinaplasticSOT23envelope. ItisprimarilyintendedforuseinRFwidebandamplifiers,suchasinaerialamplifiers,radarsystems,oscilloscopes,spectrumanalyzers,etc.Thetransistorfeatureslowintermodulationdistortionandhighpowergain;duetoitsveryhig	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
W1-	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	型号：BFT92；Package：SOT-23；RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	恩XP	恩XP

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W1-

文件：47.93 Kbytes

Page：8 Pages

型号：BFT92；Package：SOT-23；PNP 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION PNPtransistorinaplasticSOT23envelope. ItisprimarilyintendedforuseinRFwidebandamplifiers,suchasinaerialamplifiers,radarsystems,oscilloscopes,spectrumanalyzers,etc.Thetransistorfeatureslowintermodulationdistortionandhighpowergain;duetoitsveryhig

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

W1-

文件：9.37507 Mbytes

Page：130 Pages

型号：BFT92；Package：SOT-23；RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

恩XP

详细参数

型号：
W1-
功能描述：
TRANS PNP RF 15V SOT-23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 17/Dec/2010
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
4.7V 频率 -
转换：
47GHz
噪声系数（dB典型值@频率）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB 功率 -
最大：
160mW 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
160 @ 25mA，3V 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
45mA
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商设备封装：
4-TSFP
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
BFP 740FESD E6327DKR

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更多W1-供应商更新时间2025-8-4 9:38:00

详细参数

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