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W060Z120C	文件：637.8 Kbytes Page：12 Pages	型号：TW060Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

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W060Z120C

文件：637.8 Kbytes

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型号：TW060Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多W060Z120C供应商更新时间2025-8-1 14:01:00

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