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TW030Z120C	文件：643.2 Kbytes Page：12 Pages	Marking：W030Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TW030Z120C

文件：643.2 Kbytes

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Marking：W030Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多W030Z120C供应商更新时间2025-5-17 8:00:00

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