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CBTD3306GT	文件：215.62 Kbytes Page：12 Pages	Marking：W06；Package：SOT833-1；Dual bus switch with level shifting 1.Generaldescription TheCBTD3306dualFETbusswitchfeaturesindependentlineswitches.Eachswitchisdisabled whentheassociatedoutputenable(nOE)inputisHIGH. TheCBTD3306ischaracterizedforoperationfrom-40°Cto+85°C. 2.Featuresandbenefits •Designedtobeusedin5Vt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
TW060Z120C	文件：637.8 Kbytes Page：12 Pages	Marking：W060Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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CBTD3306GT

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Marking：W06；Package：SOT833-1；Dual bus switch with level shifting

1.Generaldescription TheCBTD3306dualFETbusswitchfeaturesindependentlineswitches.Eachswitchisdisabled whentheassociatedoutputenable(nOE)inputisHIGH. TheCBTD3306ischaracterizedforoperationfrom-40°Cto+85°C. 2.Featuresandbenefits •Designedtobeusedin5Vt

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

TW060Z120C

文件：637.8 Kbytes

Page：12 Pages

Marking：W060Z120C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
W06
功能描述：
桥式整流器 1.5A 600V
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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更多W06供应商更新时间2025-5-14 11:06:00

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