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TW083Z65C

Marking:W083Z65C;Package:TO-247-4L;MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多W083Z65C供应商 更新时间2025-5-17 16:44:00