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2SD1383K	文件：147.72 Kbytes Page：3 Pages	丝印：W*；Package：SMT3；High-gain Amplifier Transistor Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SB852K. 文件：147.72 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SK322	文件：29.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：W*；Package：SOT-23；Silicon N-Channel Junction FET Application HF wide band amplifier 文件：29.58 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
KTA1666	文件：205.51 Kbytes Page：4 Pages	丝印：W*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High speed switching time. ● Low saturation voltage:VCE(sat)=-0.5V(Max) ● PC=1~2W(Mounted on ceramic substrate) ● Small flat package. ● Complementary: KTC4379. APPLICATIONS ● Power amplifier application. ● Power switching application. 文件：205.51 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

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更多W*供应商更新时间2026-1-18 14:14:00