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VT3060GHM3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VIT3060GHM3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VT3508AM-ADJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	VT SOT23-5L	VT 上传：深圳市美福微科技有限公司	VT
VT8606	文件：0 bytes Page：0 Pages	VIA BGA	VIA 威盛电子上传：深圳市讯运电子有限公司	VIA
VTVS8V5ASMF-HM3-08	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SMD	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市长旗科技有限公司	Vishay

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更多VT3060GHM3-4W供应商更新时间2025-10-10 14:51:00