Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i

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FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i

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Trench MOS Schottky technology

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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整流器 40A 60V TrenchMOS

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肖特基二极管与整流器 40A,60V,TRENCH SKY RECT.

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