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VT4060C-E3_V01	文件：133.51 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i 文件：133.51 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多VT4060C-E3_V01供应商更新时间2025-11-20 14:02:00