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VT30L60C-E3-4W	文件：129.74 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in high frequency c 文件：129.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VFT30L60C-E3-4W	文件：80.03 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.03 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VT30L60C-E3-4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00