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VBT30L60C-E3-4W	文件：81.7 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VIT30L60C-E3-4W	文件：129.74 Kbytes Page：5 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Foruseinhighfrequencyc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多VBT30L60C-E3-4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00