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HFP730F	文件：264.38 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ❐OriginativeNewDesign ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐100AvalancheTested ❐RoHSCompliant	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP730S	文件：304.97 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:17nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):0.75Ω(Typ.)@VGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP730U	文件：208.41 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730	文件：914.4 Kbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730F	文件：264.38 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ❐OriginativeNewDesign ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐100AvalancheTested ❐RoHSCompliant	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730S	文件：284.32 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730U	文件：318.57 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIRF730	文件：46.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMC 华昕	HSMC
HIRF730F	文件：46.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMC 华昕	HSMC
HM730	文件：302.49 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM730F	文件：302.49 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
I730	文件：1.76217 Mbytes Page：12 Pages	6A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
IRC730	文件：223.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.0ohm,Id=5.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF730	文件：102.73 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptablePowerSupply ●Highspeedpowerswitching Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF730	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF730	文件：898.57 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF730	文件：54.27 Kbytes Page：7 Pages	5.5A,400V,1.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistor.ItisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF730	文件：59.69 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheIRF730issuppliedin	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF730	文件：94.17 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL400V-0.75ohm-5.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET Description ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. Generalfeatures	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF730	文件：79.4 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆HigherCurrentRating ◆LowerrDS(ON),LowerCapacitances ◆LowerTotalGateCharge ◆TighterVSDSp	SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp.	SUNTAC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS-ST730CL供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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