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IRF730	文件：206.5 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
IRF730	文件：134.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：128.44 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Simpledriverequirements •Fastswitching •VDSS=400V;RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730	文件：95.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
IRF730	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF730	文件：277.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：341.04 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF730areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. FEATURES ●RDS(ON)=1.00Ω@VGS=10V ●Ultralowgatec	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRF730	文件：100.66 Kbytes Page：3 Pages	6.0A400VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆HigherCurrentRating ◆LowerrDS(ON),LowerCapacitances ◆LowerTotalGateCharge ◆TighterVSDSp	FCI Amphenol ICC	FCI
IRF730	文件：355.59 Kbytes Page：16 Pages	HighPowerFactor/LowTHD	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
W730	文件：1.05705 Mbytes Page：4 Pages	Setoftwocastaluminumsupportingstruts.	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
WFF730	文件：689.95 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF730	文件：839.39 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	WISDOMWisdom technologies Int`l Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFP730	文件：836.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWisdom’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyswitchin	WISDOMWisdom technologies Int`l Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFP730	文件：677.68 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficiency	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFU730	文件：664.42 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficiencys	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
XLH730	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
XLJ730	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
XLL730	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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XLN730	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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更多VS-ST730CL供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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