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VS-1N1187RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N1187	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1187	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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1N1187	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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1N1187	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A Features •Glasspassivateddie •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Lowleakagecurrent •NormalandReversepolarity •MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N1187	文件：407.24 Kbytes Page：2 Pages	DEVICEHIGHPOWERSTANDARD Features •HighSurgeCapability •Typesupto1000V	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1187	文件：703.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50to300VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1187	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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1N1187A	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N1187A	文件：555.32 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,40A	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
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1N1187A	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
VS-1N1187RA
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
40A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AB（DO-5）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	VS-1N1187RA	VISHAY	1809+	DO-203	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多VS-1N1187RA供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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