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VS-1N3891R	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES •Shortreverserecoverytime •Lowstoredcharge •Widecurrentrange •Excellentsurgecapabilities •StandardJEDEC®types •Studcathodeandstudanodeversions •Fullycharacterizedreverserecoveryconditions •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleases	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-1N3891R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N3891	文件：111.49 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier FastRecoveryRectifier ●FastRecoveryRectifier ●175°CJunctionTemperature ●VRRM100to400Volts ●12AmpsCurrentRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3891	文件：2.04834 Mbytes Page：11 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion) FEATURES •Shortreverserecoverytime •Lowstoredcharge •Widecurrentrange •Excellentsurgecapabilities •StandardJEDEC®types •Studcathodeandstudanodeversions •Fullycharacterizedreverserecoveryconditions •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3891	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6/12/16A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3891	文件：100.08 Kbytes Page：1 Pages	FastRectifier,10AI(O)/I(F)s20A FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N3891	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3891	文件：137.2 Kbytes Page：1 Pages	STUDMOUNTEDFASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N3891	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N3891	文件：88.56 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3891	文件：528.1 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERSQualifiedperMIL-PRF-19500/304 DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3891	文件：528.11 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3891	文件：428.92 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N3891	文件：706.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3891	文件：140 Kbytes Page：9 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3891	文件：725.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3891	文件：110.53 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIIFER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3891	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3891	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3891A	文件：528.11 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
VS-1N3891R
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS-1N3891R供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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