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VS-1N3893	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES • Short reverse recovery time • Low stored charge • Wide current range • Excellent surge capabilities • Standard JEDEC® types • Stud cathode and stud anode versions • Fully characterized reverse recovery conditions • Material categorization: for definitions of compliance please s 文件：148.53 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-1N3893	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N3893R	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES • Short reverse recovery time • Low stored charge • Wide current range • Excellent surge capabilities • Standard JEDEC® types • Stud cathode and stud anode versions • Fully characterized reverse recovery conditions • Material categorization: for definitions of compliance please s 文件：148.53 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-1N3893R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
VS-1N3893
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

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更多VS-1N3893供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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