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VS-1N1189 | Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A, 40 A, 60 A 文件:155.43 Kbytes 页数:9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VS-1N1189 | Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A Low leakage current series\nGood surge current capability up to 1000 A; | Vishay 威世 | Vishay | |
VS-1N1189 | Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |
Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件:147.02 Kbytes 页数:7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
产品属性
- 产品编号:
VS-1N1189
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
35A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
底座,接线柱安装
- 封装/外壳:
DO-203AB,DO-5,接线柱
- 供应商器件封装:
DO-203AB(DO-5)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 190°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
DO-203 |
326 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
DO-203AB(DO-5) |
9350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
200 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
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