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VNS7NV04PTR-E	文件：370.03 Kbytes Page：29 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNN7NV04P-E, VNS7NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the ch 文件：370.03 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS7NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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VND7NV04	文件：618.75 Kbytes Page：37 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：618.75 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND7NV04	文件：619.37 Kbytes Page：37 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：619.37 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNS7NV04PTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
6A
导通电阻（典型值）：
65 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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