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VNP10N06FI	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in h 文件：168.29 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07	文件：134.17 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP10N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linearcurrent limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh 文件：134.17 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07-E	文件：376.75 Kbytes Page：11 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP10N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linearcurrent limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh 文件：376.75 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：159.09 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N06	文件：367.12 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：367.12 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N06	文件：126.87 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：126.87 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N06_V01	文件：367.12 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：367.12 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07	文件：375.66 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：375.66 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07_V01	文件：375.66 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：375.66 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：511.93 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNP10N07FI
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
14A
导通电阻（典型值）：
100 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
ISOWATT-220
封装/外壳：
ISOWATT-220-3
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

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