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VND10	文件：217.7 Kbytes Page：9 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND10BSPisamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPower Technology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.This devicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshut-downprotects thechipfr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10	文件：186.9 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND10BSPisamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPower Technology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.This devicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshut-downprotects thechipfr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10B	文件：186.9 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND10BSPisamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPower Technology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.This devicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshut-downprotects thechipfr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10B011Y	文件：186.9 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND10BSPisamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPower Technology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.This devicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshut-downprotects thechipfr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND10BSP	文件：217.7 Kbytes Page：9 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND10BSPisamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPower Technology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.This devicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshut-downprotects thechipfr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06-1	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10B	文件：213.38 Kbytes Page：13 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10B	文件：222.98 Kbytes Page：13 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND10B-11-E	文件：222.98 Kbytes Page：13 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10BSPTR-E	文件：201.75 Kbytes Page：11 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N06-1	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND10N06-1	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND10N0613TR	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
VND10
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市凯斯宇科技有限公司	VND10B-11-E	STMicroelectronics	2022	ICSSRHISIDE2CHPENTAWATTH	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳好佳好科技有限公司	VND10N06	ST	360000	原厂原装	1305		询价
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更多VND10供应商更新时间2024-4-28 14:10:00

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