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VND10N06-1

ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

Description The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in h

文件:168.29 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1

fully autoprotected Power MOSFET

文件:510.05 Kbytes 页数:25 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1

OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET

文件:595.92 Kbytes 页数:25 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1

OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET

文件:595.92 Kbytes 页数:25 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1-E

OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET

文件:595.92 Kbytes 页数:25 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND10N06-1-E

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    VND10N06-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    6A

  • 导通电阻(典型值):

    150 毫欧

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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更多VND10N06-1供应商 更新时间2026-2-2 16:12:00