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VN0606L-G	文件：384.34 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceand	SUTEX Supertex, Inc
0606	文件：570.28 Kbytes Page：2 Pages	Precisetemperaturecontrol	LSTD Laird Tech Smart Technology
0606	文件：636.73 Kbytes Page：10 Pages	SpectraBrightSeries0606PackageSizeSMDRGBandBi-ColorLEDs KeyFeatures •Packagesize0606 •Tapeandreelpackagedforhigh-speedautoinsertion •Through-hole,SMD •Clearlens •Tri-color:RGB •Bi-color:Red/Green •Enjoyhighvisibilityinarangeofworkingenvironmentsthankstoawide,120°viewingangle •Highandlowintensityoptionsa	VCC Visual Communications Company
ACAS0606	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：134.53 Kbytes Page：9 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity FEATURES •Superiormoistureresistivity,\|ΔR/R\|	VishayVishay Siliconix 威世科技
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：334.58 Kbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	KingbrightKingbright Company LLC 今台
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：1.10696 Mbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司
BCC0606	文件：114.02 Kbytes Page：2 Pages	Double-EndedCordsets BCCM425-M413-3A-602-EX43T2-010 Basicfeatures Approval/ConformityCE cULus WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司
C0606	文件：867.38 Kbytes Page：2 Pages	WireBondableChipCapacitor	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
C0606A	文件：81.52 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
CER0606A	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedneodymiumceramicfilter.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
CRAS0606	文件：214.4 Kbytes Page：8 Pages	ThickFilmChipResistorArray,DifferentValues	VishayVishay Siliconix 威世科技
EYGS0606ZLSL	文件：94.73 Kbytes Page：4 Pages	Soft-PGS(CompressibleType)PGSwithlowthermalresistance	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
MSC0606W	文件：701.97 Kbytes Page：8 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司
N0606N	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
OPB0606	文件：119.81 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
OPD0606	文件：133.53 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINPhotoDiode HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
RCC0606	文件：354 Kbytes Page：4 Pages	RADIALCHOKECOIL	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司
RJF0606JPE	文件：63.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
VN0606L-G
功能描述：
MOSFET 60V 3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	VN0606L-G	Microchip Technology	23+	TO-92-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市凯盛恒创科技有限公司	VN0606L-G	Microchip	20+	N/A	6000	全新、原装	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	VN0606L-G	MICROCHIP(美国微芯)	23+	TO-92	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	VN0606L-G	Microchip	1837+	N/A	1206	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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讯运(深圳/上海)电子有限公司	VN0606L-G	MICROCHIP(美国微芯)	2021+	TO-92-3	499		询价
深圳市恒意法电子有限公司	VN0606L-G	Microchip Technology	21+	SC-59-3	219560	专业分立半导体,原装渠道正品现货	询价
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深圳市微纳尔电子实业有限公司	VN0606L-G	Microchip	21+	TO-92	15000	只做原装	询价

更多VN0606L-G供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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