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OPD0606	文件：133.53 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PIN Photo Diode HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
0606	文件：570.28 Kbytes Page：2 Pages	Precisetemperaturecontrol	LSTD Laird Tech Smart Technology
0606	文件：636.73 Kbytes Page：10 Pages	SpectraBrightSeries0606PackageSizeSMDRGBandBi-ColorLEDs KeyFeatures •Packagesize0606 •Tapeandreelpackagedforhigh-speedautoinsertion •Through-hole,SMD •Clearlens •Tri-color:RGB •Bi-color:Red/Green •Enjoyhighvisibilityinarangeofworkingenvironmentsthankstoawide,120°viewingangle •Highandlowintensityoptionsa	VCC Visual Communications Company
ACAS0606	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：134.53 Kbytes Page：9 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity FEATURES •Superiormoistureresistivity,\|ΔR/R\|	VishayVishay Siliconix 威世科技
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：334.58 Kbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	KingbrightKingbright Company LLC 今台
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：1.10696 Mbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司
BCC0606	文件：114.02 Kbytes Page：2 Pages	Double-EndedCordsets BCCM425-M413-3A-602-EX43T2-010 Basicfeatures Approval/ConformityCE cULus WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司
C0606	文件：867.38 Kbytes Page：2 Pages	WireBondableChipCapacitor	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
C0606A	文件：81.52 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
CER0606A	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedneodymiumceramicfilter.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
CRAS0606	文件：214.4 Kbytes Page：8 Pages	ThickFilmChipResistorArray,DifferentValues	VishayVishay Siliconix 威世科技
EYGS0606ZLSL	文件：94.73 Kbytes Page：4 Pages	Soft-PGS(CompressibleType)PGSwithlowthermalresistance	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
MSC0606W	文件：701.97 Kbytes Page：8 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司
N0606N	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
OPB0606	文件：119.81 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
RCC0606	文件：354 Kbytes Page：4 Pages	RADIALCHOKECOIL	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司
RJF0606JPE	文件：63.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RQK0606KGDQA	文件：117.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多OPD0606供应商更新时间2024-4-26 9:52:00

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