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C0606A	文件：81.52 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTER CABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
C0606A.41.10	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：线轴类别：电缆，电线多芯导线描述：7P/24 7/32TC OA SH TYPE CMR	PRYSMIAN Prysmian Group	PRYSMIAN
CER0606A	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedneodymiumceramicfilter.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
CRAS0606	文件：214.4 Kbytes Page：8 Pages	ThickFilmChipResistorArray,DifferentValues	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
EYGS0606ZLSL	文件：94.73 Kbytes Page：4 Pages	Soft-PGS(CompressibleType)PGSwithlowthermalresistance	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
KX0606	文件：332.2 Kbytes Page：1 Pages	GRUBSCREWFIXING	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MSC0606W	文件：701.97 Kbytes Page：8 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
N0606N	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
OPB0606	文件：119.81 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
OPD0606	文件：133.53 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINPhotoDiode HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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深圳市联世界科技有限公司	C0606C101J5GAC7867	KEMET	24+/25+		4000	原装正品现货库存价优	询价
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