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MSC0606W	文件：701.97 Kbytes Page：8 Pages	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
N0606N	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
OPB0606	文件：119.81 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
OPD0606	文件：133.53 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINPhotoDiode HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
RCC0606	文件：354 Kbytes Page：4 Pages	RADIALCHOKECOIL	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司	SUPERWORLD
RJF0606JPE	文件：63.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQK0606KGDQA	文件：117.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQK0606KGDQA	文件：95.39 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQK0606KGDQATL-E	文件：513.32 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RQK0606KGDQATL-H	文件：117.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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