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MSC080SMA120J	文件：576.47 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Low capacitances and low gate charge ·RDS(ON)= 100mΩ（MAX）@VGS=20V TJ=25℃ ·Fast and reliable body diodee ·Superior avalanche ruggedness APPLICATIONS ·Smart grid transmission and distribution ·Induction heating and welding ·Power supply and distribution ·Motor drives 文件：576.47 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MSC080SMA120J	文件：1.99327 Mbytes Page：10 Pages	Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET 文件：1.99327 Mbytes 页数：10 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
MSC080SMA120J	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1200V, 35A, 80mΩ ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC1202Y2RHHT	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI	TI 德州仪器上传：深圳市华高宇电子有限公司	TI
MSC1210Y5PAGRG4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI TQFP64	TI 德州仪器上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	TI

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更多MSC080SMA120J供应商更新时间2025-10-11 11:01:00