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VN0606L	文件：434.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceand	SUTEX Supertex, Inc
VN0606L	文件：53.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技
VN0606L-G	文件：384.34 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceand	SUTEX Supertex, Inc
0606	文件：570.28 Kbytes Page：2 Pages	Precisetemperaturecontrol	LSTD Laird Tech Smart Technology
0606	文件：636.73 Kbytes Page：10 Pages	SpectraBrightSeries0606PackageSizeSMDRGBandBi-ColorLEDs KeyFeatures •Packagesize0606 •Tapeandreelpackagedforhigh-speedautoinsertion •Through-hole,SMD •Clearlens •Tri-color:RGB •Bi-color:Red/Green •Enjoyhighvisibilityinarangeofworkingenvironmentsthankstoawide,120°viewingangle •Highandlowintensityoptionsa	VCC Visual Communications Company
ACAS0606	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：176.61 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity DESCRIPTION Productionisstrictlycontrolledandfollowsanextensivesetofinstructionsestablishedforreproducibility.Ahomogeneousfilmofmetalalloyisdepositedonahighgradeceramicsubstrate(Al2O3)usingamasktoseparatetheadjacentresistorsandconditionedtoachievethedesir	VishayVishay Siliconix 威世科技
ACAS0606AT	文件：134.53 Kbytes Page：9 Pages	PrecisionThinFilmChipResistorArraySuperiorMoistureResistivity FEATURES •Superiormoistureresistivity,\|ΔR/R\|	VishayVishay Siliconix 威世科技
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：334.58 Kbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	KingbrightKingbright Company LLC 今台
APGF0606VGTPBTSEETC	文件：1.10696 Mbytes Page：4 Pages	0.65x0.65x0.2mmFull-ColorSurfaceMountLED	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司
BCC0606	文件：114.02 Kbytes Page：2 Pages	Double-EndedCordsets BCCM425-M413-3A-602-EX43T2-010 Basicfeatures Approval/ConformityCE cULus WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司
C0606	文件：867.38 Kbytes Page：2 Pages	WireBondableChipCapacitor	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
C0606A	文件：81.52 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
CER0606A	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedneodymiumceramicfilter.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
CRAS0606	文件：214.4 Kbytes Page：8 Pages	ThickFilmChipResistorArray,DifferentValues	VishayVishay Siliconix 威世科技
EYGS0606ZLSL	文件：94.73 Kbytes Page：4 Pages	Soft-PGS(CompressibleType)PGSwithlowthermalresistance	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
MSC0606W	文件：701.97 Kbytes Page：8 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司
N0606N	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
OPB0606	文件：119.81 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
OPD0606	文件：133.53 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINPhotoDiode HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团

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详细参数

型号：
VN0606L
功能描述：
MOSFET 60V 0.33A 0.8W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VN0606L供应商更新时间2024-4-23 9:00:00

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