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VF30120C-E3SLASH4W	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified 文件：168.11 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120S	文件：228.42 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：228.42 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：216.68 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2 文件：168.27 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG	文件：127.41 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.41 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG_V01	文件：127.41 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.41 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG-E3	文件：156.84 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2 文件：156.84 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG-E3	文件：216.01 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：216.01 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG-E3/4W	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2 文件：168.27 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF30120SG-E3SLASH4W	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2 文件：168.27 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

测量技术：
Vibrating / Tuning Fork
介质：
Liquid
最大工作压力：
1500 psi (1056 m H2O)
介质温度范围：
300 F (149 C)
开关刀掷规格：
Double Pole
最大交流电压额定值：
240 volts
最大额定电流：
10 amps
安装：
Side mount; Top mount
特征：
Built in alarm indicator (optional feature)
工作温度：
-40 to 165 F (-40 to 73.89 C)
产品类别：
Level Switches

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	VF30100S-E3/45	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	ITO-220AB	661		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	VF30100S-E3/4W	VISHAY	25+	TO220	110	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市恒创达实业有限公司	VF30100C-E3/45	VISHAY	17+	TO220F-3	6200		询价
深圳市鹏和科技有限公司	VF30150C	VISHAY	24+	TO-220F	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市达恩科技有限公司	VF30100S-E3/4W	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市华来深电子有限公司	VF30150C	VISHAY	23+	TO220	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	VF30120C-E3/4W	VISHAY	25+23+	TO-220F	15496	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	VF30100C-E3/4W	VISHAY	18+	TO-220F	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	VF30150C-E3/4W	VISHAY	20+	TO-220F	38560	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
上海市鑫鸿达电子	VF30100S	GS	2022+		10	全新原装货期两周	询价

更多VF30供应商更新时间2026-1-29 16:01:00

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