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VF20100R	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R	文件：79.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R-E3/4W	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R-E3SLASH4W	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R_10	文件：79.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R_15	文件：80 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R_15	文件：83.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.25 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R-M3-4W	文件：79.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20100R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;	Vishay 威世科技	Vishay
VF20100R-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VF20100R
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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