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VF20100S-E3/4W	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.62 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20100S-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20100S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20100S-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3/4W	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.62 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

产品属性

产品编号：
VF20100S-E3/4W
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
TMBS®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：
ITO-220AB
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB

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