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VF20120C-E3/4W	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VF20120C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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产品属性

产品编号：
VF20120C-E3/4W
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
TMBS®
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：
ITO-220AB
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220

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