VI20120C-E3/4W分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号	VI20120C-E3/4W
参数属性	VI20120C-E3/4W 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
封装外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
文件大小	167.06 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	VISHAY【威世科技】
中文名称	威世科技半导体官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-1 20:07:00
人工找货	VI20120C-E3/4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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