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VI20120C-E3分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号 |
VI20120C-E3 |
参数属性 | VI20120C-E3 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262 |
功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
封装外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
文件大小 |
161.84 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 11:23:00 |
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VI20120C-E3规格书详情
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.
产品属性
- 产品编号:
VI20120C-E3/4W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
散装
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
10A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
TO-262AA
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220 |
12000 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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50000 |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-262AA |
620 |
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VISHAY |
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TO-262 |
12000 |
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VISHAY/威世 |
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TO-262 |
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