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VF20100C	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C	文件：127.54 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.54 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C_V01	文件：127.54 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.54 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C-E3	文件：214.47 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：214.47 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C-E3	文件：167.08 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.08 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C-E3/4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100C-E3SLASH4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100R	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100R-E3/4W	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF20100R-E3SLASH4W	文件：151.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Com 文件：151.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
VF2
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	VF20120S	VISHAY原装	25+23+	TO-220F	23890	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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