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VEC2305	文件：60.95 Kbytes Page：4 Pages	VEC2305 文件：60.95 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2307	文件：38.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 文件：38.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2315	文件：379.9 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications 文件：379.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315_12	文件：449.79 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.79 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315-TL-H	文件：449.79 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.79 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315-TL-H	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2315-TL-W	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2402	文件：41.15 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 文件：41.15 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2408	文件：54.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 文件：54.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Type：
SMD
Series：
VEC
Endurance(Hours)：
2
Volt.(V)：
16
Cap.(μF)：
10
Dia.(mm)：
4
L(mm)：
5.3
R.C.(mA)：
26
Temp.(℃)：
85
Features：
Low Leakage Current

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VEC供应商更新时间2025-10-11 17:49:00

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