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VEC2315	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2315	文件：379.9 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications 文件：379.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-2.5A，137mΩ This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • Low-Profile Package\n• Board Space Saving\n• ESD Diode-Protected Gate\n• ESD Resistance\n• RoHS Compliance\n• Environmental Consideration\n• Low On-Resistance\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses,Reduces Heat Dissipation\n• 4V drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2315_12	文件：449.79 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.79 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315-TL-H	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2315-TL-H	文件：449.79 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.79 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2315-TL-W	文件：541.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET 文件：541.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-2.5
PD Max (W)：
0.9
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=180
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=137
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
11
Ciss Typ (pF)：
420
Package Type：
SOT-28FL/VEC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VEC2315供应商更新时间2025-10-4 15:01:00

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